📰 中瓷电子:商务部该举措体现了国家维护产业链安全的战略导向

中瓷电子在投资者关系平台回答了多项关切。首先回应商务部对日出口管制的问题,董事会秘书表示该举措体现国家维护产业链安全的导向,带来供应链重构与国产替代加速的行业趋势,公司将积极把握机遇,利用自身优势坚持自主研发与技术创新,以更好地服务客户。关于联系信息与产能问题,公司公开电话为0311-83933981,指派专人接听,正推进产线自动化、智能化改造以提升产线产能和效率,招聘将按产线需求有序进行。股东信息方面,基于深圳分公司数据,截至2026年2月13日收盘,公司股东总户数为29,973户(已合并),并将严格履行信息披露义务。子公司国联万众的SiC模块已开展研发并进入送样与验证阶段,正在进行客户送样与认证过程。以上内容为公开信息整理,信息仅供参考,非投资建议,投资者应关注指定信息披露平台的公告。

🏷️ #国产替代 #信息披露 #SiC模块 #产线自动化 #股东户数

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📰 倾佳杨茜方案:碳化硅赋能固态变压器 开启新能源并网柔性新时代

在全球能源体系向低碳化和高度电气化转型的背景下,分布式可再生能源、海量储能与电动汽车快速普及,对传统电力传输与配电网络提出新的挑战。为满足微电网对设备灵活性与智能化的需求,基于碳化硅(SiC)功率模块的固态变压器(SST)应运而生,成为解决新能源并网难题的关键突破。早期以硅基IGBT的方案因开关频率低、体积大、效率受限,而SiC材料凭借高禁带宽度和高击穿场强,在实现高耐压的同时保持低导通电阻与纳秒级开关速度,为SST的小型化和高频化奠定基础。与此同时,材料缺陷带来的阈值漂移与载流子迁移率下降成为挑战,行业通过栅氧退火与交流测量等工艺优化,将缺陷控制在可接受范围。以1200V/540A SiC MOSFET模块为例,导通电阻仅2.2mΩ、结壳热阻0.077K/W,175℃极端条件下仍能稳定输出,显示了宽禁带材料的工程应用潜力。高频开关性提升效率的同时对EMC提出更高要求,dv/dt易引发故障,因此智能驱动器引入多重保护:主动米勒钳位、先进有源钳位、DESAT去饱和与软关断等,使故障响应达到微秒级,系统可靠性显著提升。在系统架构方面,SST通过多端口级联实现交直流混合接入,包含三级拓扑:高压前端的级联H桥/多电平实现中压直接接入;隔离式双向直流变换级派生接口;低压并网逆变级进行电能质量优化。PPP技术打通低压端口,降低中压母线电流,系统综合效率提升显著;高频散热与磁性材料创新,如特种磁芯与纳米晶材料配合液冷散热,使功率密度提升。控制策略方面,构网型与跟网型的无缝切换、基于模型预测控制的无功补偿,以及元启发式算法的在线自适应调参,使系统在强弱网络下均能稳定运行,并将谐波畸变控制在IEEE5%红线内,SST因此具备更广的应用适应性与电能质量治理能力,成为微电网的“能源路由器”。

🏷️ #固态变压器 #SiC #能源路由器 #微电网 #高效高频

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📰 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口

西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过把岛状连接转化为原子级平整薄膜,破解芯片散热难题,显著提升器件的综合性能。基于氮化铝薄膜的氮化镓微波器件在X波段与Ka波段实现42 W/mm与20 W/mm的输出密度,较国际同类器件提升约30%至40%,成为近二十年来该领域的重大突破。
这项创新为5G/6G、卫星互联网等未来产业提供关键器件支撑,芯片在单位面积内可承载更高性能,系统能耗也随之下降。市场端也出现相关预期:英伟达提出800V直流架构,数据中心将采用固态变压器及GaN、SiC等高端功率器件,推动功耗与效率的革命。
上市公司方面,士兰微的SiC‑MOSFET用于电动车主驱动模块出货量已达2万颗;晶方科技依托VisIC等合作拓展800V及以上高功率主驱动模块。这一系列创新与应用前景,将带动高端功率半导体需求,推动产业投资与协同发展。

🏷️ #氮化铝薄膜 #氮化镓器件 #800V直流 #SiC器件

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📰 英飞凌全桥变压器驱动器评估板!

晶川电子推出了基于英飞凌2EP130R系列的两款评估板,分别为EVAL-2EP130R-J和EVAL-1ED3142MC12H-2EP130R-J,这些评估板适用于多种应用,如电动汽车充电、太阳能和储能系统等,用户可以免费申请。EVAL-2EP130R-J主要用于评估驱动器IC-2EP130R,支持IGBT和SiC MOSFET的电源需求,并具有可调输出电压的功能,能够替代市场上的一些专用驱动电源模块。

EVAL-1ED3142MC12H-2EP130R-J是在EVAL-2EP130R-J基础上增加了英飞凌EiceDRIVER X3系列驱动芯片,特别设计用于SiC MOSFET,具有高电流输出,便于光伏、储能和伺服控制器等产品的设计。两款评估板都具备过电流和短路保护功能,提高了系统的安全性和可靠性。

这两款评估板的推出将有助于用户在新颖驱动电源设计上获得更多的灵活性,降低PCB面积和成本,同时提升设计的效率。评估板的性能参数及应用领域都十分广泛,适合工业和消费电子等多个行业的需求。

🏷️ #评估板 #驱动电源 #英飞凌 #SiC MOSFET #电动汽车

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📰 英飞凌全桥变压器驱动器评估板!

晶川电子推出的EVAL-2EP130R-J和EVAL-1ED3142MC12H-2EP130R-J评估板,基于英飞凌2EP130R系列驱动电源IC,适用于多种应用场景,如太阳能、电动汽车充电和储能系统等。这些评估板可免费申领,旨在帮助用户优化驱动设计,减少PCB面积和成本。

EVAL-2EP130R-J评估板专为评估驱动器IC-2EP130R而设计,具有全桥变压器驱动和单路输出功能,支持IGBT和SiC MOSFET的隔离栅驱动。该板的输出电压可调,满足不同功率器件的需求,能够替代市场上的一些专用驱动电源模块。

EVAL-1ED3142MC12H-2EP130R-J则在前者基础上增加了英飞凌EiceDRIVER X3 Compact系列驱动芯片,专为SiC MOSFET设计,具有高达6.5A的输出电流。此板简化了设计,缩小了体积,适用于光伏、储能和UPS等产品,具有显著的成本优势。

🏷️ #评估板 #驱动IC #电源设计 #SiC MOSFET #成本优化

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