📰 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口
西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过把岛状连接转化为原子级平整薄膜，破解芯片散热难题，显著提升器件的综合性能。基于氮化铝薄膜的氮化镓微波器件在X波段与Ka波段实现42 W/mm与20 W/mm的输出密度，较国际同类器件提升约30%至40%，成为近二十年来该领域的重大突破。
这项创新为5G/6G、卫星互联网等未来产业提供关键器件支撑，芯片在单位面积内可承载更高性能，系统能耗也随之下降。市场端也出现相关预期：英伟达提出800V直流架构，数据中心将采用固态变压器及GaN、SiC等高端功率器件，推动功耗与效率的革命。
上市公司方面，士兰微的SiC‑MOSFET用于电动车主驱动模块出货量已达2万颗；晶方科技依托VisIC等合作拓展800V及以上高功率主驱动模块。这一系列创新与应用前景，将带动高端功率半导体需求，推动产业投资与协同发展。
🏷️ #氮化铝薄膜 #氮化镓器件 #800V直流 #SiC器件
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📰 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口
西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过把岛状连接转化为原子级平整薄膜，破解芯片散热难题，显著提升器件的综合性能。基于氮化铝薄膜的氮化镓微波器件在X波段与Ka波段实现42 W/mm与20 W/mm的输出密度，较国际同类器件提升约30%至40%，成为近二十年来该领域的重大突破。
这项创新为5G/6G、卫星互联网等未来产业提供关键器件支撑，芯片在单位面积内可承载更高性能，系统能耗也随之下降。市场端也出现相关预期：英伟达提出800V直流架构，数据中心将采用固态变压器及GaN、SiC等高端功率器件，推动功耗与效率的革命。
上市公司方面，士兰微的SiC‑MOSFET用于电动车主驱动模块出货量已达2万颗；晶方科技依托VisIC等合作拓展800V及以上高功率主驱动模块。这一系列创新与应用前景，将带动高端功率半导体需求，推动产业投资与协同发展。
🏷️ #氮化铝薄膜 #氮化镓器件 #800V直流 #SiC器件
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📰 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口_手机网易网
西安电子科技大学郝跃院士团队通过将岛状材料连接转化为原子级平整薄膜，显著提升芯片散热与综合性能。基于氮化铝薄膜的创新，氮化镓微波器件在X波段与Ka波段分别实现42 W/mm与20 W/mm的输出密度，较国际水平提升约30%至40%，在同芯片面积下可显著延长探测距离与覆盖能力。
英伟达公布800V直流架构白皮书，未来数据中心以800V供电并用固态变压器，GaN与SiC功率半导体承担核心转换。2030年AI基础设施支出预计达3万亿至4万亿，将催生高压功率器件需求，推动SiC与GaN模块商用化。
🏷️ #氮化铝薄膜 #氮化镓 #碳化硅 #GaN
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西安电子科技大学郝跃院士团队通过将岛状材料连接转化为原子级平整薄膜，显著提升芯片散热与综合性能。基于氮化铝薄膜的创新，氮化镓微波器件在X波段与Ka波段分别实现42 W/mm与20 W/mm的输出密度，较国际水平提升约30%至40%，在同芯片面积下可显著延长探测距离与覆盖能力。
英伟达公布800V直流架构白皮书，未来数据中心以800V供电并用固态变压器，GaN与SiC功率半导体承担核心转换。2030年AI基础设施支出预计达3万亿至4万亿，将催生高压功率器件需求，推动SiC与GaN模块商用化。
🏷️ #氮化铝薄膜 #氮化镓 #碳化硅 #GaN
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