📰 全国第一个，凌锐半导体国产SiC MOS芯片成功应用于SST并批量供货 - 产业链 - 光通信Pro
凌锐半导体率先以国产SiC MOS芯片支撑SST研发并进入批量供货阶段，2025年与大型上市公司联合攻关，推出国内首个国产碳化硅芯片SST方案。该10kV SST项目在2026年实现批量商业化，订单已交付，成为公司重要里程碑，标志高性能高可靠性碳化硅MOS芯片赋能AI+SST新赛道，得到市场广泛认可。
回顾历史，2018年凌锐创始人刘桂新在CREE Wolfspeed任职时即与国家电网合作，开展35kV/5MW SST研制，2021年在河北徐水落地，成为全国首座大型SST，变压器能量变换效率达99.63%、功率密度2.53瓦/立方厘米，支持分布式光伏、储能直流接入，能源利用提升30%+。其技术可拓展至海上风电、轨道交通等领域，并推动碳化硅器件市场向数百亿级增长，助力AI数据中心能源智能。
🏷️ #碳化硅 #固态变压 #国产芯片 #能源智能
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📰 全国第一个，凌锐半导体国产SiC MOS芯片成功应用于SST并批量供货 - 产业链 - 光通信Pro
凌锐半导体率先以国产SiC MOS芯片支撑SST研发并进入批量供货阶段，2025年与大型上市公司联合攻关，推出国内首个国产碳化硅芯片SST方案。该10kV SST项目在2026年实现批量商业化，订单已交付，成为公司重要里程碑，标志高性能高可靠性碳化硅MOS芯片赋能AI+SST新赛道，得到市场广泛认可。
回顾历史，2018年凌锐创始人刘桂新在CREE Wolfspeed任职时即与国家电网合作，开展35kV/5MW SST研制，2021年在河北徐水落地，成为全国首座大型SST，变压器能量变换效率达99.63%、功率密度2.53瓦/立方厘米，支持分布式光伏、储能直流接入，能源利用提升30%+。其技术可拓展至海上风电、轨道交通等领域，并推动碳化硅器件市场向数百亿级增长，助力AI数据中心能源智能。
🏷️ #碳化硅 #固态变压 #国产芯片 #能源智能
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📰 调研速递|扬杰电子接受红杉中国等30家机构调研 前三季度营收增20.89% 越南工厂满产满销
本次调研在扬杰电子会议室举行，副董事长梁瑶及证券投资部陈逸妍接待，来自30家机构的代表参会。扬杰电子是一家功率半导体企业，产品线涵盖材料、晶圆与封装器件，广泛应用于汽车电子、AI及5G等领域，持续成长。
核心要点显示越南二期已满产满销，晶圆厂计划2027投产，聚焦海外产线与全球供应。将以主业为核心，审慎推进并购，寻求技术与市场协同。展望2026，工业与汽车电子仍是主力，AIoT驱动下消费电子持续成长，资本开支聚焦封装、晶圆与碳化硅领域。
🏷️ #扬杰电子 #功率半导体 #越南二期 #碳化硅
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📰 调研速递|扬杰电子接受红杉中国等30家机构调研 前三季度营收增20.89% 越南工厂满产满销
本次调研在扬杰电子会议室举行，副董事长梁瑶及证券投资部陈逸妍接待，来自30家机构的代表参会。扬杰电子是一家功率半导体企业，产品线涵盖材料、晶圆与封装器件，广泛应用于汽车电子、AI及5G等领域，持续成长。
核心要点显示越南二期已满产满销，晶圆厂计划2027投产，聚焦海外产线与全球供应。将以主业为核心，审慎推进并购，寻求技术与市场协同。展望2026，工业与汽车电子仍是主力，AIoT驱动下消费电子持续成长，资本开支聚焦封装、晶圆与碳化硅领域。
🏷️ #扬杰电子 #功率半导体 #越南二期 #碳化硅
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📰 固态变压器技术革新浪潮中，中国制造如何突破高频损耗难题领跑AI算力市场？
在AI算力与能源转型双轮驱动下，中国制造通过材料革新、器件升级与全产业链协同，突破固态变压器高频损耗难题，推动技术迭代与高效交付。第三代半导体应用以碳化硅等宽禁带器件提升电能转换效率至约98.5%，较传统铜铁变压器损耗下降超过30%，河北试点显示全碳化硅变压器对新能源接入的能耗降幅显著。
高频磁性材料创新也同步推进，0.18毫米超薄取向硅钢提升国产化比例，铁芯空载损耗下降约30%，并辅以非晶合金、纳米晶等材料，进一步降低高频磁滞损耗约15%，以满足AI数据中心对功率密度的苛刻需求。产业链协同带来3-6个月定制交付周期，全球产能达到60%，出口额在2025年可实现646亿元并持续增长。
🏷️ #固态变压器 #碳化硅 #国产化 #高效能源
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📰 固态变压器技术革新浪潮中，中国制造如何突破高频损耗难题领跑AI算力市场？
在AI算力与能源转型双轮驱动下，中国制造通过材料革新、器件升级与全产业链协同，突破固态变压器高频损耗难题，推动技术迭代与高效交付。第三代半导体应用以碳化硅等宽禁带器件提升电能转换效率至约98.5%，较传统铜铁变压器损耗下降超过30%，河北试点显示全碳化硅变压器对新能源接入的能耗降幅显著。
高频磁性材料创新也同步推进，0.18毫米超薄取向硅钢提升国产化比例，铁芯空载损耗下降约30%，并辅以非晶合金、纳米晶等材料，进一步降低高频磁滞损耗约15%，以满足AI数据中心对功率密度的苛刻需求。产业链协同带来3-6个月定制交付周期，全球产能达到60%，出口额在2025年可实现646亿元并持续增长。
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📰 AI算力带火变压器订单 国产变压器成核心引擎各方观点
AI算力爆发正在推动变压器从电网配角跃升为核心，供电稳定性成为算力基础设施的生命线。电压波动若超过3%，可能令数十亿级芯片集群报废，强电力支撑才是算力可用的前提。因此，变压器与高质量电网同等重要，更是关键。
国产变压器凭借全产业链自主可控与极致交付，已成为全球AI算力基建不可替代的‘电力心脏’。我国已成为世界第一大变压压生产国，全球产能约60%，交付周期显著低于欧美，海外营收占比有望提升，并拓展海外增量。
全球变压器供给危机暴露系统性风险，中国在抢抓数据中心订单的同时，需同步强化传统电网更新，避免未来失衡与供电断档。为此，PJM电网报告显示多数变压器超期服役，交付周期极长，改造滞后风险加剧。这对电网稳定和算力扩展提出更高要求。
🏷️ #算力 #变压器 #电网 #数据中心 #碳化硅
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📰 AI算力带火变压器订单 国产变压器成核心引擎各方观点
AI算力爆发正在推动变压器从电网配角跃升为核心，供电稳定性成为算力基础设施的生命线。电压波动若超过3%，可能令数十亿级芯片集群报废，强电力支撑才是算力可用的前提。因此，变压器与高质量电网同等重要，更是关键。
国产变压器凭借全产业链自主可控与极致交付，已成为全球AI算力基建不可替代的‘电力心脏’。我国已成为世界第一大变压压生产国，全球产能约60%，交付周期显著低于欧美，海外营收占比有望提升，并拓展海外增量。
全球变压器供给危机暴露系统性风险，中国在抢抓数据中心订单的同时，需同步强化传统电网更新，避免未来失衡与供电断档。为此，PJM电网报告显示多数变压器超期服役，交付周期极长，改造滞后风险加剧。这对电网稳定和算力扩展提出更高要求。
🏷️ #算力 #变压器 #电网 #数据中心 #碳化硅
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📰 今天看了一个茜茜的文章，所以问了问AI
碳化硅器件使固态变压器实现高频化与高效率，频率提升至kHz级，体积缩小60%-90%，效率约98.7%，功率密度显著提升。SST采用级联H桥与MMC-DAB拓扑，前端需2300-6500V器件，后端DC-DC需1200-2300V器件，兼具隔离与变压需求。
SST还具备移相角控制与TPS等智能控制，能实现软开关、回流抑制及动态电压调节，适配光伏与储能场景。市场方面，800V数据中心和充电桩场景带来新机遇，量产与高压信号隔离是挑战；预计2026年出现首批导入，2027年进入规模化。产业链方面，头部厂商与云厂商协同推动，碳化硅与SST商业化正在加速。
🏷️ #碳化硅 #固态变压器 #高频 #数据中心 #产业链
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碳化硅器件使固态变压器实现高频化与高效率，频率提升至kHz级，体积缩小60%-90%，效率约98.7%，功率密度显著提升。SST采用级联H桥与MMC-DAB拓扑，前端需2300-6500V器件，后端DC-DC需1200-2300V器件，兼具隔离与变压需求。
SST还具备移相角控制与TPS等智能控制，能实现软开关、回流抑制及动态电压调节，适配光伏与储能场景。市场方面，800V数据中心和充电桩场景带来新机遇，量产与高压信号隔离是挑战；预计2026年出现首批导入，2027年进入规模化。产业链方面，头部厂商与云厂商协同推动，碳化硅与SST商业化正在加速。
🏷️ #碳化硅 #固态变压器 #高频 #数据中心 #产业链
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📰 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口_手机网易网
西安电子科技大学郝跃院士团队通过将岛状材料连接转化为原子级平整薄膜，显著提升芯片散热与综合性能。基于氮化铝薄膜的创新，氮化镓微波器件在X波段与Ka波段分别实现42 W/mm与20 W/mm的输出密度，较国际水平提升约30%至40%，在同芯片面积下可显著延长探测距离与覆盖能力。
英伟达公布800V直流架构白皮书，未来数据中心以800V供电并用固态变压器，GaN与SiC功率半导体承担核心转换。2030年AI基础设施支出预计达3万亿至4万亿，将催生高压功率器件需求，推动SiC与GaN模块商用化。
🏷️ #氮化铝薄膜 #氮化镓 #碳化硅 #GaN
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📰 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口_手机网易网
西安电子科技大学郝跃院士团队通过将岛状材料连接转化为原子级平整薄膜，显著提升芯片散热与综合性能。基于氮化铝薄膜的创新，氮化镓微波器件在X波段与Ka波段分别实现42 W/mm与20 W/mm的输出密度，较国际水平提升约30%至40%，在同芯片面积下可显著延长探测距离与覆盖能力。
英伟达公布800V直流架构白皮书，未来数据中心以800V供电并用固态变压器，GaN与SiC功率半导体承担核心转换。2030年AI基础设施支出预计达3万亿至4万亿，将催生高压功率器件需求，推动SiC与GaN模块商用化。
🏷️ #氮化铝薄膜 #氮化镓 #碳化硅 #GaN
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📰 碳化硅的希望之一，明年落地的可能性还是有的
随着AI算力需求的快速增长，算力机房的供电系统正在经历从交流到直流、从集中到分布的深层变革。新一代供电系统的核心目标是提升能效和功率密度，主要技术包括高压直流（HVDC）、固态变压器（SST）以及分布式架构，这些技术都在利用碳化硅（SiC）以提高效率和降低损耗。碳化硅材料不仅在功率器件中发挥重要作用，也在散热领域显著提升了芯片的稳定性和寿命。
在散热技术方面，碳化硅作为热界面材料和中介层，能够有效降低冷却能耗。其导热性能优越的复合材料可以将数据中心的冷却能耗减少50%，并提升芯片运行的稳定性。碳化硅在算力基础设施中被视为“效率助推器”和“散热救星”，高效的散热解决方案对于超高功率芯片的应用至关重要。
未来，碳化硅材料的需求将持续上升，尤其是在AI芯片散热领域，其市场前景广阔。然而，当前高昂的成本和全球产能的挑战也需要行业共同努力来解决。随着技术进步与成本降低，碳化硅将在下一代高性能数据中心的演进中发挥更加重要的作用。
🏷️ #AI算力 #碳化硅 #散热技术 #供电系统 #高效能
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📰 碳化硅的希望之一，明年落地的可能性还是有的
随着AI算力需求的快速增长，算力机房的供电系统正在经历从交流到直流、从集中到分布的深层变革。新一代供电系统的核心目标是提升能效和功率密度，主要技术包括高压直流（HVDC）、固态变压器（SST）以及分布式架构，这些技术都在利用碳化硅（SiC）以提高效率和降低损耗。碳化硅材料不仅在功率器件中发挥重要作用，也在散热领域显著提升了芯片的稳定性和寿命。
在散热技术方面，碳化硅作为热界面材料和中介层，能够有效降低冷却能耗。其导热性能优越的复合材料可以将数据中心的冷却能耗减少50%，并提升芯片运行的稳定性。碳化硅在算力基础设施中被视为“效率助推器”和“散热救星”，高效的散热解决方案对于超高功率芯片的应用至关重要。
未来，碳化硅材料的需求将持续上升，尤其是在AI芯片散热领域，其市场前景广阔。然而，当前高昂的成本和全球产能的挑战也需要行业共同努力来解决。随着技术进步与成本降低，碳化硅将在下一代高性能数据中心的演进中发挥更加重要的作用。
🏷️ #AI算力 #碳化硅 #散热技术 #供电系统 #高效能
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📰 固态变压器功率器件简析—渗透率及方案选择
目前固态变压器（SST）技术正在逐步渗透市场，特别是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术的应用在功率器件中越来越普遍。传统交流不间断电源（UPS）仍主要依赖IGBT，但在2024年以后，SST产品的碳化硅应用预计会加强，未来到2026年，整个功率器件市场的碳化硅渗透率将显著提升。与此同时，OBC和车载DC-DC器件已基本完成从硅基向碳化硅技术的切换。
行业对碳化硅替代IGBT的讨论逐渐升温，尤其在800V高压直流应用背景下。这种转变的必要性源于以应对更高功率密度的需求，研究机构在SST技术上仍面临一定的挑战，如直流保护的产业链尚未成熟。然而，尽管存在技术障碍，SST技术在能效提升和占地面积减少等方面的优越性显示了其未来发展的潜力。
在不同的电力架构中，SST和高压直流方案以其高效能和先进技术展现出颠覆传统的能力。与传统UPS相比，SST架构具备更好的功率提升能力，同时行业也在同步研究碳化硅和氮化镓两种技术路线。未来的发展将取决于技术的成熟和各类市场产品的落地实施。
🏷️ #固态变压器 #碳化硅 #氮化镓 #电力电子 #技术趋势
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📰 固态变压器功率器件简析—渗透率及方案选择
目前固态变压器（SST）技术正在逐步渗透市场，特别是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术的应用在功率器件中越来越普遍。传统交流不间断电源（UPS）仍主要依赖IGBT，但在2024年以后，SST产品的碳化硅应用预计会加强，未来到2026年，整个功率器件市场的碳化硅渗透率将显著提升。与此同时，OBC和车载DC-DC器件已基本完成从硅基向碳化硅技术的切换。
行业对碳化硅替代IGBT的讨论逐渐升温，尤其在800V高压直流应用背景下。这种转变的必要性源于以应对更高功率密度的需求，研究机构在SST技术上仍面临一定的挑战，如直流保护的产业链尚未成熟。然而，尽管存在技术障碍，SST技术在能效提升和占地面积减少等方面的优越性显示了其未来发展的潜力。
在不同的电力架构中，SST和高压直流方案以其高效能和先进技术展现出颠覆传统的能力。与传统UPS相比，SST架构具备更好的功率提升能力，同时行业也在同步研究碳化硅和氮化镓两种技术路线。未来的发展将取决于技术的成熟和各类市场产品的落地实施。
🏷️ #固态变压器 #碳化硅 #氮化镓 #电力电子 #技术趋势
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📰 国盛证券：AIDC电源管理终极方案 SST产业链上游材料与器件迎来发展机遇_腾讯新闻
国盛证券的研报指出，固态变压器（SST）的普及将推动碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体的需求增长。SiC主要应用于输入端，具有高耐压和优良的热管理能力，而GaN则因其高电子迁移率主要用于输出端。同时，纳米晶和非晶等高性能软磁材料因其优异特性，成为SST磁芯的理想选择。预计未来5-10年，全球固态变压器市场将以年均复合增长率25%-35%快速增长，磁性材料和功率半导体将同步受益。
随着AI算力的爆发，数据中心供电系统面临深刻变革，单机柜功率密度正不断提升，对供电系统的效率和可靠性提出了更高要求。固态变压器凭借其98%以上的系统效率和小于传统方案50%的占地面积，成为下一代IDC供电系统的核心解决方案。英伟达在OCP峰会上发布的800V直流白皮书，进一步确认了SST在新供电架构中的关键作用。
SST的优势在于高效率和小型化。通过高频电力电子变换，SST的系统效率显著高于传统方案，年节省电费可达数千万元。同时，SST采用模块化设计和高频磁材，极大地缩小了体积，节约了机房空间。SST还具备主动灵活性和绿电适配性，能够高效接入可再生能源，提升电网对可再生能源的接纳能力，降低数据中心的运营成本。建议关注相关企业的SST系统与材料的研发进展。
🏷️ #固态变压器 #碳化硅 #氮化镓 #高效供电 #绿电适配
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📰 国盛证券：AIDC电源管理终极方案 SST产业链上游材料与器件迎来发展机遇_腾讯新闻
国盛证券的研报指出，固态变压器（SST）的普及将推动碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体的需求增长。SiC主要应用于输入端，具有高耐压和优良的热管理能力，而GaN则因其高电子迁移率主要用于输出端。同时，纳米晶和非晶等高性能软磁材料因其优异特性，成为SST磁芯的理想选择。预计未来5-10年，全球固态变压器市场将以年均复合增长率25%-35%快速增长，磁性材料和功率半导体将同步受益。
随着AI算力的爆发，数据中心供电系统面临深刻变革，单机柜功率密度正不断提升，对供电系统的效率和可靠性提出了更高要求。固态变压器凭借其98%以上的系统效率和小于传统方案50%的占地面积，成为下一代IDC供电系统的核心解决方案。英伟达在OCP峰会上发布的800V直流白皮书，进一步确认了SST在新供电架构中的关键作用。
SST的优势在于高效率和小型化。通过高频电力电子变换，SST的系统效率显著高于传统方案，年节省电费可达数千万元。同时，SST采用模块化设计和高频磁材，极大地缩小了体积，节约了机房空间。SST还具备主动灵活性和绿电适配性，能够高效接入可再生能源，提升电网对可再生能源的接纳能力，降低数据中心的运营成本。建议关注相关企业的SST系统与材料的研发进展。
🏷️ #固态变压器 #碳化硅 #氮化镓 #高效供电 #绿电适配
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📰 2022年09月16日 | UPS设计：挑战与考量
不间断电源（UPS）在保护关键信息和设备方面起着至关重要的作用，主要可分为在线式和离线式两种。离线式UPS切换至电池供电的过程需约10毫秒，这限制了其在某些高敏感度应用中的使用。而在线式UPS则实现了零中断切换，能有效应对电源质量问题，提供稳定的电力供应。
模块化UPS因其便捷的扩展能力而受到青睐，能在满足更大用电需求的同时帮助用户节省成本。然而，UPS设计面临众多挑战，如尺寸、输入输出调节能力以及电池管理等。更先进的半导体技术的应用，尤其是高频开关电路，使得UPS的空间占用得以降低，提高了整体效率。
UPS的设计需考虑选择合适的拓扑结构，以优化性能和成本。例如，三电平拓扑在效率和噪声控制方面表现优越，而新型宽禁带器件如碳化硅（SiC）则提升开关频率并降低损耗。安森美的技术白皮书探讨了UPS设计中的各种挑战，强调了新型SiC器件和相关驱动器的重要性。
🏷️ #不间断电源 #在线式UPS #模块化设计 #拓扑结构 #碳化硅
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📰 2022年09月16日 | UPS设计：挑战与考量
不间断电源（UPS）在保护关键信息和设备方面起着至关重要的作用，主要可分为在线式和离线式两种。离线式UPS切换至电池供电的过程需约10毫秒，这限制了其在某些高敏感度应用中的使用。而在线式UPS则实现了零中断切换，能有效应对电源质量问题，提供稳定的电力供应。
模块化UPS因其便捷的扩展能力而受到青睐，能在满足更大用电需求的同时帮助用户节省成本。然而，UPS设计面临众多挑战，如尺寸、输入输出调节能力以及电池管理等。更先进的半导体技术的应用，尤其是高频开关电路，使得UPS的空间占用得以降低，提高了整体效率。
UPS的设计需考虑选择合适的拓扑结构，以优化性能和成本。例如，三电平拓扑在效率和噪声控制方面表现优越，而新型宽禁带器件如碳化硅（SiC）则提升开关频率并降低损耗。安森美的技术白皮书探讨了UPS设计中的各种挑战，强调了新型SiC器件和相关驱动器的重要性。
🏷️ #不间断电源 #在线式UPS #模块化设计 #拓扑结构 #碳化硅
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