📰 消除变压器辅助绕组，TI合封氮化镓新品落地 - 充电头网 - 我们只谈充电
德州仪器推出UCG2883x/4x集成GaN高频准谐振QR反激式转换器，面向高功率密度的AC-DC电源应用，特别适合手机快充和笔记本适配器核心部件。核心创新在于自偏置和无辅助绕组检测架构，省去辅助绕组需求，降低BoM成本、简化设计并提升系统整体效率。器件内置750VGaN晶体管，支持高至500kHz的开关频率，释放高功率密度潜力。性能方面具备智能模式转换，动态切换CCM、QR和DCM，在宽功率范围内保持高效，待机功耗低于30mW。还能实现极高的瞬态峰值输出，在不增大变压器尺寸的前提下，为65W常规设计提供高达130W的短时峰值输出，至少两倍额定功率。安全性方面内置完备保护，包括过压、短路、两级过功率和过温保护等；通过外部电阻即可灵活调优参数，支持单芯片多平台适配，适用于PD适配器、USB墙插、工业电源及服务器辅助电源等场景。
🏷️ #GaN #软开关 #高功率 #自偏置 #智能模式
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德州仪器推出UCG2883x/4x集成GaN高频准谐振QR反激式转换器，面向高功率密度的AC-DC电源应用，特别适合手机快充和笔记本适配器核心部件。核心创新在于自偏置和无辅助绕组检测架构，省去辅助绕组需求，降低BoM成本、简化设计并提升系统整体效率。器件内置750VGaN晶体管，支持高至500kHz的开关频率，释放高功率密度潜力。性能方面具备智能模式转换，动态切换CCM、QR和DCM，在宽功率范围内保持高效，待机功耗低于30mW。还能实现极高的瞬态峰值输出，在不增大变压器尺寸的前提下，为65W常规设计提供高达130W的短时峰值输出，至少两倍额定功率。安全性方面内置完备保护，包括过压、短路、两级过功率和过温保护等；通过外部电阻即可灵活调优参数，支持单芯片多平台适配，适用于PD适配器、USB墙插、工业电源及服务器辅助电源等场景。
🏷️ #GaN #软开关 #高功率 #自偏置 #智能模式
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📰 为800V应用选择合适的半导体技术
本白皮书对面向AI数据中心高压中间母线转换器的三类宽禁带功率器件——横向GaN HEMT、SiC MOSFET与SiC Cascode JFET（CJFET）在近1 MHz 高频开关条件下的性能进行了对比分析。重点评估导通损耗、开关特性、栅极电荷损耗及缓冲电路需求，并探讨了堆叠式LLC、单相LLC和三相LLC三种谐振拓扑对系统效率与元件数量的影响。仿真结果显示，三类器件系统总损耗相近，CJFET因结构简单、驱动便捷在成本方面具显著优势；三相LLC通过降低 RMS 电流与减少元件数量展现更优的综合性能。文中还指出，导通损耗与温度、Rds,on 的关系，以及COSS对开关速度的影响，并给出在高压IBC架构中选型与拓扑配置的理论依据。为降低振铃与提升稳定性，缓冲电路的设计需结合具体拓扑与寄生特性进行优化，CJFET在软开关条件下可显著降低缓冲需求。总体而言，三种技术在谐振拓扑下性能趋于一致，成本成为关键决策因素，CJFET凭借简化结构具成本优势，3pC拓扑因低 RMS 电流而在元件数量与磁芯设计方面具显著优势，最终将通过安森美的硬件实测数据进行验证。
🏷️ #高压IBC #GaN HEMT #SiC MOSFET #CJFET #LLC
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📰 为800V应用选择合适的半导体技术
本白皮书对面向AI数据中心高压中间母线转换器的三类宽禁带功率器件——横向GaN HEMT、SiC MOSFET与SiC Cascode JFET（CJFET）在近1 MHz 高频开关条件下的性能进行了对比分析。重点评估导通损耗、开关特性、栅极电荷损耗及缓冲电路需求，并探讨了堆叠式LLC、单相LLC和三相LLC三种谐振拓扑对系统效率与元件数量的影响。仿真结果显示，三类器件系统总损耗相近，CJFET因结构简单、驱动便捷在成本方面具显著优势；三相LLC通过降低 RMS 电流与减少元件数量展现更优的综合性能。文中还指出，导通损耗与温度、Rds,on 的关系，以及COSS对开关速度的影响，并给出在高压IBC架构中选型与拓扑配置的理论依据。为降低振铃与提升稳定性，缓冲电路的设计需结合具体拓扑与寄生特性进行优化，CJFET在软开关条件下可显著降低缓冲需求。总体而言，三种技术在谐振拓扑下性能趋于一致，成本成为关键决策因素，CJFET凭借简化结构具成本优势，3pC拓扑因低 RMS 电流而在元件数量与磁芯设计方面具显著优势，最终将通过安森美的硬件实测数据进行验证。
🏷️ #高压IBC #GaN HEMT #SiC MOSFET #CJFET #LLC
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📰 意法半导体微型驱动器助力小型家电设计：封装更小巧，布局更灵活
本文围绕通用家电无线遥控与栅极驱动器技术的发展展开讨论。首先介绍了一种基于433MHz的无线遥控设备，其结构由单片机、液晶显示、按键与无线发码电路组成，支持单节点与多节点模式，系统设计为16路，可通过接收信息控制多种家电设备。随后文章聚焦电源与驱动领域，阐述意法半导体在栅极驱动器方面的若干产品及应用场景。STDRIVEG210/211用于GaN栅极驱动，面向工业电源与电池系统，具备6V栅极驱动信号、独立的开关路径设计与快速启动；STDRIVE102H/102BH适用于单/三电阻电流采样的无刷电机控制，工作电压6–50V，简化配置接口，强调低待机电流和对电池友好特性。随后提及的新一代GaN半桥驱动器STDRIVEG610/611，提升能效与鲁棒性，支持高密度设计。STGAP4S、STGAP3S等车规栅极驱动器则强调对SiC、IGBT、MOSFET的保护、隔离与诊断能力，适用于电动汽车、空调、家电及工厂自动化等场景，并强调ISO 26262 ASIL D认证与高耐压/高抗干扰性能。整体呈现从家电遥控到高端栅极驱动器的系统级演进，强调低功耗、快速响应、可靠性与安全合规在现代电源与驱动技术中的核心地位。
🏷️ #遥控 #栅极驱动 #GaN #SiC #电源管理
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📰 意法半导体微型驱动器助力小型家电设计：封装更小巧，布局更灵活
本文围绕通用家电无线遥控与栅极驱动器技术的发展展开讨论。首先介绍了一种基于433MHz的无线遥控设备，其结构由单片机、液晶显示、按键与无线发码电路组成，支持单节点与多节点模式，系统设计为16路，可通过接收信息控制多种家电设备。随后文章聚焦电源与驱动领域，阐述意法半导体在栅极驱动器方面的若干产品及应用场景。STDRIVEG210/211用于GaN栅极驱动，面向工业电源与电池系统，具备6V栅极驱动信号、独立的开关路径设计与快速启动；STDRIVE102H/102BH适用于单/三电阻电流采样的无刷电机控制，工作电压6–50V，简化配置接口，强调低待机电流和对电池友好特性。随后提及的新一代GaN半桥驱动器STDRIVEG610/611，提升能效与鲁棒性，支持高密度设计。STGAP4S、STGAP3S等车规栅极驱动器则强调对SiC、IGBT、MOSFET的保护、隔离与诊断能力，适用于电动汽车、空调、家电及工厂自动化等场景，并强调ISO 26262 ASIL D认证与高耐压/高抗干扰性能。整体呈现从家电遥控到高端栅极驱动器的系统级演进，强调低功耗、快速响应、可靠性与安全合规在现代电源与驱动技术中的核心地位。
🏷️ #遥控 #栅极驱动 #GaN #SiC #电源管理
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📰 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口_手机网易网
西安电子科技大学郝跃院士团队通过将岛状材料连接转化为原子级平整薄膜，显著提升芯片散热与综合性能。基于氮化铝薄膜的创新，氮化镓微波器件在X波段与Ka波段分别实现42 W/mm与20 W/mm的输出密度，较国际水平提升约30%至40%，在同芯片面积下可显著延长探测距离与覆盖能力。
英伟达公布800V直流架构白皮书，未来数据中心以800V供电并用固态变压器，GaN与SiC功率半导体承担核心转换。2030年AI基础设施支出预计达3万亿至4万亿，将催生高压功率器件需求，推动SiC与GaN模块商用化。
🏷️ #氮化铝薄膜 #氮化镓 #碳化硅 #GaN
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西安电子科技大学郝跃院士团队通过将岛状材料连接转化为原子级平整薄膜，显著提升芯片散热与综合性能。基于氮化铝薄膜的创新，氮化镓微波器件在X波段与Ka波段分别实现42 W/mm与20 W/mm的输出密度，较国际水平提升约30%至40%，在同芯片面积下可显著延长探测距离与覆盖能力。
英伟达公布800V直流架构白皮书，未来数据中心以800V供电并用固态变压器，GaN与SiC功率半导体承担核心转换。2030年AI基础设施支出预计达3万亿至4万亿，将催生高压功率器件需求，推动SiC与GaN模块商用化。
🏷️ #氮化铝薄膜 #氮化镓 #碳化硅 #GaN
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