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📰 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口_手机网易网

西安电子科技大学郝跃院士团队通过将岛状材料连接转化为原子级平整薄膜，显著提升芯片散热与综合性能。基于氮化铝薄膜的创新，氮化镓微波器件在X波段与Ka波段分别实现42 W/mm与20 W/mm的输出密度，较国际水平提升约30%至40%，在同芯片面积下可显著延长探测距离与覆盖能力。
英伟达公布800V直流架构白皮书，未来数据中心以800V供电并用固态变压器，GaN与SiC功率半导体承担核心转换。2030年AI基础设施支出预计达3万亿至4万亿，将催生高压功率器件需求，推动SiC与GaN模块商用化。

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