📰 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口
西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过把岛状连接转化为原子级平整薄膜，破解芯片散热难题，显著提升器件的综合性能。基于氮化铝薄膜的氮化镓微波器件在X波段与Ka波段实现42 W/mm与20 W/mm的输出密度，较国际同类器件提升约30%至40%，成为近二十年来该领域的重大突破。
这项创新为5G/6G、卫星互联网等未来产业提供关键器件支撑，芯片在单位面积内可承载更高性能，系统能耗也随之下降。市场端也出现相关预期：英伟达提出800V直流架构，数据中心将采用固态变压器及GaN、SiC等高端功率器件，推动功耗与效率的革命。
上市公司方面，士兰微的SiC‑MOSFET用于电动车主驱动模块出货量已达2万颗；晶方科技依托VisIC等合作拓展800V及以上高功率主驱动模块。这一系列创新与应用前景，将带动高端功率半导体需求，推动产业投资与协同发展。
🏷️ #氮化铝薄膜 #氮化镓器件 #800V直流 #SiC器件
🔗 原文链接
📰 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口
西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过把岛状连接转化为原子级平整薄膜，破解芯片散热难题，显著提升器件的综合性能。基于氮化铝薄膜的氮化镓微波器件在X波段与Ka波段实现42 W/mm与20 W/mm的输出密度，较国际同类器件提升约30%至40%，成为近二十年来该领域的重大突破。
这项创新为5G/6G、卫星互联网等未来产业提供关键器件支撑，芯片在单位面积内可承载更高性能，系统能耗也随之下降。市场端也出现相关预期：英伟达提出800V直流架构，数据中心将采用固态变压器及GaN、SiC等高端功率器件，推动功耗与效率的革命。
上市公司方面，士兰微的SiC‑MOSFET用于电动车主驱动模块出货量已达2万颗；晶方科技依托VisIC等合作拓展800V及以上高功率主驱动模块。这一系列创新与应用前景，将带动高端功率半导体需求，推动产业投资与协同发展。
🏷️ #氮化铝薄膜 #氮化镓器件 #800V直流 #SiC器件
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