📰 英飞凌与DG Matrix合作，以碳化硅技术推动AI数据中心电力基础设施发展
英飞凌与DG Matrix成立合作，共同推动固态变压器（SST）在AI数据中心及工业电力领域的应用与发展。通过采用英飞凌最新一代碳化硅（SiC）功率半导体，DG Matrix的Interport多端口SST平台将提升电力转换效率、功率密度与可靠性，从而实现更小体积、更轻重量和更快部署。SST以半导体替代传统铜铁变压器，能将中压直接转化为低压，适用于AI数据中心、EV充电、可再生能源及微电网等场景，具备更高可扩展性与电能质量主动控制能力。未来五年，全球SST半导体市场规模有望达到约10亿美元，双方计划在新一代SiC路线图上持续协同，将SiC技术全面融入Interport产品线，加速全球高效电力基础设施部署，满足不断增长的电力需求与数字化转型的需要。
🏷️ #SiC #SST #数据中心 #DGMatrix #英飞凌
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📰 英飞凌与DG Matrix合作，以碳化硅技术推动AI数据中心电力基础设施发展
英飞凌与DG Matrix成立合作，共同推动固态变压器（SST）在AI数据中心及工业电力领域的应用与发展。通过采用英飞凌最新一代碳化硅（SiC）功率半导体，DG Matrix的Interport多端口SST平台将提升电力转换效率、功率密度与可靠性，从而实现更小体积、更轻重量和更快部署。SST以半导体替代传统铜铁变压器，能将中压直接转化为低压，适用于AI数据中心、EV充电、可再生能源及微电网等场景，具备更高可扩展性与电能质量主动控制能力。未来五年，全球SST半导体市场规模有望达到约10亿美元，双方计划在新一代SiC路线图上持续协同，将SiC技术全面融入Interport产品线，加速全球高效电力基础设施部署，满足不断增长的电力需求与数字化转型的需要。
🏷️ #SiC #SST #数据中心 #DGMatrix #英飞凌
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📰 英飞凌与DG Matrix合作，以碳化硅技术推动AI数据中心电力基础设施发展
英飞凌科技与DG Matrix宣布携手推动以固态变压器（SST）为核心的电力基础设施升级，聚焦AI数据中心与工业电力应用接入公共电网。核心在于将碳化硅（SiC）功率半导体应用于DG Matrix的Interport多端口SST平台，以提升系统效率、功率密度与可靠性，并增强全球供应链稳定性。SST作为替代传统铜铁变压器的先进解决方案，具备更高效率与更小体积、更轻重量和更强的可扩展性，能够直接把中压电转化为低压供给高能耗场景，如AI数据中心、EV充电、可再生能源和工业微网等。双方预计未来五年全球SST半导体市场规模可达十亿美元，且在新一代SiC器件的推动下，Interport平台的性能和系统集成度将显著提升。通过持续的路线图协同，英飞凌SiC技术将全面嵌入DG Matrix的产品系列，推动全球范围内更高效、可扩展的电力基础设施部署，满足日益增长的电力与数据中心需求。
🏷️ #固态变压器 #SiC功率半导体 #DGMatrix #AI数据中心 #高效电力
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📰 英飞凌与DG Matrix合作，以碳化硅技术推动AI数据中心电力基础设施发展
英飞凌科技与DG Matrix宣布携手推动以固态变压器（SST）为核心的电力基础设施升级，聚焦AI数据中心与工业电力应用接入公共电网。核心在于将碳化硅（SiC）功率半导体应用于DG Matrix的Interport多端口SST平台，以提升系统效率、功率密度与可靠性，并增强全球供应链稳定性。SST作为替代传统铜铁变压器的先进解决方案，具备更高效率与更小体积、更轻重量和更强的可扩展性，能够直接把中压电转化为低压供给高能耗场景，如AI数据中心、EV充电、可再生能源和工业微网等。双方预计未来五年全球SST半导体市场规模可达十亿美元，且在新一代SiC器件的推动下，Interport平台的性能和系统集成度将显著提升。通过持续的路线图协同，英飞凌SiC技术将全面嵌入DG Matrix的产品系列，推动全球范围内更高效、可扩展的电力基础设施部署，满足日益增长的电力与数据中心需求。
🏷️ #固态变压器 #SiC功率半导体 #DGMatrix #AI数据中心 #高效电力
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📰 英伟达钦定SST（固态变压器）
本文围绕固态变压器（SST）在AI计算中心供电中的关键作用展开，强调SST通过SiC/GaN宽禁带半导体实现高效、紧凑、智能化的电力转换，将高压交流直接转为直流800V，效率高达98.5%，体积缩小至传统的1/3，铜耗下降45%。传统变压+UPS架构在高功率场景下效率低、响应慢、占用空间大，难以支撑万亿参数模型的算力需求。SST不仅提升能效，还具备微型化、全智能调控和多场景一体化能力，能适配风光储、并网、储能、充电等场景，成为AI数据中心的核心供电架构。产业链方面，上游SiC/GaN材料、高频磁芯等实现国产化突破，中游整机厂商与下游场景落地并进，全球多家云厂商和数据中心先行布局。文章还预测到2027年Kyber架构将全面标配SST，SST将推动电力系统向高频主动化转型，成为新型电力系统的核心硬件。总之，SST不是单点升级，而是推动算力与电网、新能源协同发展的底层革命，为未来十年的AI算力提供支撑。
🏷️ #固态变压器 #SiC/GaN #高效能源 #AI算力 #新型电力系统
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📰 英伟达钦定SST（固态变压器）
本文围绕固态变压器（SST）在AI计算中心供电中的关键作用展开，强调SST通过SiC/GaN宽禁带半导体实现高效、紧凑、智能化的电力转换，将高压交流直接转为直流800V，效率高达98.5%，体积缩小至传统的1/3，铜耗下降45%。传统变压+UPS架构在高功率场景下效率低、响应慢、占用空间大，难以支撑万亿参数模型的算力需求。SST不仅提升能效，还具备微型化、全智能调控和多场景一体化能力，能适配风光储、并网、储能、充电等场景，成为AI数据中心的核心供电架构。产业链方面，上游SiC/GaN材料、高频磁芯等实现国产化突破，中游整机厂商与下游场景落地并进，全球多家云厂商和数据中心先行布局。文章还预测到2027年Kyber架构将全面标配SST，SST将推动电力系统向高频主动化转型，成为新型电力系统的核心硬件。总之，SST不是单点升级，而是推动算力与电网、新能源协同发展的底层革命，为未来十年的AI算力提供支撑。
🏷️ #固态变压器 #SiC/GaN #高效能源 #AI算力 #新型电力系统
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📰 为800V应用选择合适的半导体技术
本白皮书对面向AI数据中心高压中间母线转换器的三类宽禁带功率器件——横向GaN HEMT、SiC MOSFET与SiC Cascode JFET（CJFET）在近1 MHz 高频开关条件下的性能进行了对比分析。重点评估导通损耗、开关特性、栅极电荷损耗及缓冲电路需求，并探讨了堆叠式LLC、单相LLC和三相LLC三种谐振拓扑对系统效率与元件数量的影响。仿真结果显示，三类器件系统总损耗相近，CJFET因结构简单、驱动便捷在成本方面具显著优势；三相LLC通过降低 RMS 电流与减少元件数量展现更优的综合性能。文中还指出，导通损耗与温度、Rds,on 的关系，以及COSS对开关速度的影响，并给出在高压IBC架构中选型与拓扑配置的理论依据。为降低振铃与提升稳定性，缓冲电路的设计需结合具体拓扑与寄生特性进行优化，CJFET在软开关条件下可显著降低缓冲需求。总体而言，三种技术在谐振拓扑下性能趋于一致，成本成为关键决策因素，CJFET凭借简化结构具成本优势，3pC拓扑因低 RMS 电流而在元件数量与磁芯设计方面具显著优势，最终将通过安森美的硬件实测数据进行验证。
🏷️ #高压IBC #GaN HEMT #SiC MOSFET #CJFET #LLC
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📰 为800V应用选择合适的半导体技术
本白皮书对面向AI数据中心高压中间母线转换器的三类宽禁带功率器件——横向GaN HEMT、SiC MOSFET与SiC Cascode JFET（CJFET）在近1 MHz 高频开关条件下的性能进行了对比分析。重点评估导通损耗、开关特性、栅极电荷损耗及缓冲电路需求，并探讨了堆叠式LLC、单相LLC和三相LLC三种谐振拓扑对系统效率与元件数量的影响。仿真结果显示，三类器件系统总损耗相近，CJFET因结构简单、驱动便捷在成本方面具显著优势；三相LLC通过降低 RMS 电流与减少元件数量展现更优的综合性能。文中还指出，导通损耗与温度、Rds,on 的关系，以及COSS对开关速度的影响，并给出在高压IBC架构中选型与拓扑配置的理论依据。为降低振铃与提升稳定性，缓冲电路的设计需结合具体拓扑与寄生特性进行优化，CJFET在软开关条件下可显著降低缓冲需求。总体而言，三种技术在谐振拓扑下性能趋于一致，成本成为关键决策因素，CJFET凭借简化结构具成本优势，3pC拓扑因低 RMS 电流而在元件数量与磁芯设计方面具显著优势，最终将通过安森美的硬件实测数据进行验证。
🏷️ #高压IBC #GaN HEMT #SiC MOSFET #CJFET #LLC
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📰 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口
西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过把岛状连接转化为原子级平整薄膜，破解芯片散热难题，显著提升器件的综合性能。基于氮化铝薄膜的氮化镓微波器件在X波段与Ka波段实现42 W/mm与20 W/mm的输出密度，较国际同类器件提升约30%至40%，成为近二十年来该领域的重大突破。
这项创新为5G/6G、卫星互联网等未来产业提供关键器件支撑，芯片在单位面积内可承载更高性能，系统能耗也随之下降。市场端也出现相关预期：英伟达提出800V直流架构，数据中心将采用固态变压器及GaN、SiC等高端功率器件，推动功耗与效率的革命。
上市公司方面，士兰微的SiC‑MOSFET用于电动车主驱动模块出货量已达2万颗；晶方科技依托VisIC等合作拓展800V及以上高功率主驱动模块。这一系列创新与应用前景，将带动高端功率半导体需求，推动产业投资与协同发展。
🏷️ #氮化铝薄膜 #氮化镓器件 #800V直流 #SiC器件
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📰 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口
西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过把岛状连接转化为原子级平整薄膜，破解芯片散热难题，显著提升器件的综合性能。基于氮化铝薄膜的氮化镓微波器件在X波段与Ka波段实现42 W/mm与20 W/mm的输出密度，较国际同类器件提升约30%至40%，成为近二十年来该领域的重大突破。
这项创新为5G/6G、卫星互联网等未来产业提供关键器件支撑，芯片在单位面积内可承载更高性能，系统能耗也随之下降。市场端也出现相关预期：英伟达提出800V直流架构，数据中心将采用固态变压器及GaN、SiC等高端功率器件，推动功耗与效率的革命。
上市公司方面，士兰微的SiC‑MOSFET用于电动车主驱动模块出货量已达2万颗；晶方科技依托VisIC等合作拓展800V及以上高功率主驱动模块。这一系列创新与应用前景，将带动高端功率半导体需求，推动产业投资与协同发展。
🏷️ #氮化铝薄膜 #氮化镓器件 #800V直流 #SiC器件
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