📰 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口
西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过把岛状连接转化为原子级平整薄膜，破解芯片散热难题，显著提升器件的综合性能。基于氮化铝薄膜的氮化镓微波器件在X波段与Ka波段实现42 W/mm与20 W/mm的输出密度，较国际同类器件提升约30%至40%，成为近二十年来该领域的重大突破。
这项创新为5G/6G、卫星互联网等未来产业提供关键器件支撑，芯片在单位面积内可承载更高性能，系统能耗也随之下降。市场端也出现相关预期：英伟达提出800V直流架构，数据中心将采用固态变压器及GaN、SiC等高端功率器件，推动功耗与效率的革命。
上市公司方面，士兰微的SiC‑MOSFET用于电动车主驱动模块出货量已达2万颗；晶方科技依托VisIC等合作拓展800V及以上高功率主驱动模块。这一系列创新与应用前景，将带动高端功率半导体需求，推动产业投资与协同发展。
🏷️ #氮化铝薄膜 #氮化镓器件 #800V直流 #SiC器件
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📰 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口
西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过把岛状连接转化为原子级平整薄膜，破解芯片散热难题，显著提升器件的综合性能。基于氮化铝薄膜的氮化镓微波器件在X波段与Ka波段实现42 W/mm与20 W/mm的输出密度，较国际同类器件提升约30%至40%，成为近二十年来该领域的重大突破。
这项创新为5G/6G、卫星互联网等未来产业提供关键器件支撑，芯片在单位面积内可承载更高性能，系统能耗也随之下降。市场端也出现相关预期：英伟达提出800V直流架构，数据中心将采用固态变压器及GaN、SiC等高端功率器件，推动功耗与效率的革命。
上市公司方面，士兰微的SiC‑MOSFET用于电动车主驱动模块出货量已达2万颗；晶方科技依托VisIC等合作拓展800V及以上高功率主驱动模块。这一系列创新与应用前景，将带动高端功率半导体需求，推动产业投资与协同发展。
🏷️ #氮化铝薄膜 #氮化镓器件 #800V直流 #SiC器件
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📰 中金 | AI“探电”（十一）：SST重塑未来AIDC供电架构_手机网易网
随着AI时代的发展，固态变压器（SST）因其高效率、体积小、灵活性强等优点，成为数据中心供电架构的优选方案。英伟达预计到2027年全面部署800V HVDC架构，推动SST技术的应用。SST方案在提升供电效率、减少占地面积和缩短建设周期方面表现突出，尤其在适配绿色电力和可再生能源接入方面具有明显优势。
当前，全球多家云厂商上调资本开支，推动AIDC建设加速。SST技术的布局吸引了国内外厂商的积极参与，尤其是传统电力设备、AI电源和光储充企业。随着核心部件技术的成熟，SST的初始投资成本有望下降，进一步推动其在市场上的应用。
然而，SST的发展也面临风险，包括需求不及预期、商业化节奏放缓及技术路线变动等。尽管如此，SST仍被看作是未来AIDC供电的最佳选择，具有广阔的发展前景。
🏷️ #固态变压器 #AI供电 #800V HVDC #绿色电力 #市场前景
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📰 中金 | AI“探电”（十一）：SST重塑未来AIDC供电架构_手机网易网
随着AI时代的发展，固态变压器（SST）因其高效率、体积小、灵活性强等优点，成为数据中心供电架构的优选方案。英伟达预计到2027年全面部署800V HVDC架构，推动SST技术的应用。SST方案在提升供电效率、减少占地面积和缩短建设周期方面表现突出，尤其在适配绿色电力和可再生能源接入方面具有明显优势。
当前，全球多家云厂商上调资本开支，推动AIDC建设加速。SST技术的布局吸引了国内外厂商的积极参与，尤其是传统电力设备、AI电源和光储充企业。随着核心部件技术的成熟，SST的初始投资成本有望下降，进一步推动其在市场上的应用。
然而，SST的发展也面临风险，包括需求不及预期、商业化节奏放缓及技术路线变动等。尽管如此，SST仍被看作是未来AIDC供电的最佳选择，具有广阔的发展前景。
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