📰 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口西安电子科技大学郝跃院士与张进成教授团队通过将材料间的岛状连接转化为原子级平整薄膜,显著提升芯片散热与性能。该创新使氮化镓微波器件在X波段与Ka波段实现42 W/mm与20 W/mm输出密度,较国际水平提升30%到40%。
未来5G/6G与卫星互联网对高效功率器件需求扩大,数据中心和基站能效提升。800V直流架构与固态变压器推动GaN/SiC器件市场,士兰微、晶方科技等通过SiC/MOSFET及VisIC等合作推进高端驱动模块。
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