https://bianyaqi.hangyexinwen.comhttps://bianyaqi.hangyexinwen.com/posts/774https://bianyaqi.hangyexinwen.com/posts/774Thu, 05 Mar 2026 13:18:29 GMT⁣<br /><b><i><b>📰</b></i> 为800V应用选择合适的半导体技术</b><br /><br />本白皮书对面向AI数据中心高压中间母线转换器的三类宽禁带功率器件——横向GaN HEMT、SiC MOSFET与SiC Cascode JFET（<mark>CJFET</mark>）在近1 MHz 高频开关条件下的性能进行了对比分析。重点评估导通损耗、开关特性、栅极电荷损耗及缓冲电路需求，并探讨了堆叠式LLC、单相LLC和三相LLC三种谐振拓扑对系统效率与元件数量的影响。仿真结果显示，三类器件系统总损耗相近，CJFET因结构简单、驱动便捷在成本方面具显著优势；三相LLC通过降低 RMS 电流与减少元件数量展现更优的综合性能。文中还指出，导通损耗与温度、Rds,on 的关系，以及COSS对开关速度的影响，并给出在高压IBC架构中选型与拓扑配置的理论依据。为降低振铃与提升稳定性，缓冲电路的设计需结合具体拓扑与寄生特性进行优化，CJFET在软开关条件下可显著降低缓冲需求。总体而言，三种技术在谐振拓扑下性能趋于一致，成本成为关键决策因素，CJFET凭借简化结构具成本优势，3pC拓扑因低 RMS 电流而在元件数量与磁芯设计方面具显著优势，最终将通过安森美的硬件实测数据进行验证。<br /><br /><i><b>🏷️</b></i> <a href="/search/%23%E9%AB%98%E5%8E%8BIBC">#高压IBC</a> <a href="/search/%23GaN">#GaN</a> HEMT <a href="/search/%23SiC">#SiC</a> MOSFET <a href="/search/%23CJFET">#CJFET</a> <a href="/search/%23LLC">#LLC</a><br /><br /><i><b>🔗</b></i> <a href="https://www.eeworld.com.cn/dygl/eic718141.html" target="_blank">原文链接</a>